n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管 (n-Channel MOSFET) 是如何運作的

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場效應晶體管 (FET) 是一種半導體元件，它具有四個連接端 (栅極、源極、漏極和基底)，見圖1。在雙極面結型晶體管 (BJT) 中，電流是透過兩種電荷載流子 (電子和空穴) 的移動所產生的，而場效應晶體管則有所不同，它是一種單極面元件，按照其溝道類型的不同 (n溝道或p溝道) 電流只透過單一種電荷載流子 (電子或空穴) 的移動而產生。金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET，又稱為MOS管) 是場效應晶體管的其中一個種類。MOS管的電路符號有一個箭頭，見圖2和圖3，它表示了溝道和基底間p-n結的方向。以下的說明將集中在n溝道增強型MOS管。

圖1: 場效應晶體管

圖2: p溝道MOS管的電路符號

圖3: n溝道MOS管的電路符號

MOS管工作於三種不同模式：截止模式、可變電阻模式及飽和模式，見圖4。

圖4: n溝道增強型MOS管的ID–VDS特性曲線

MOS管在電子學中是非常重要的。它們被廣泛應用在其他展品中，例如模擬電路裡的放大器和數碼電路裡的電子開關。

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