O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n, Figura 1. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente é produzida apenas por um único tipo de Portador de Cargas (Electrões ou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Electrões e Lacunas), daí a origem do nome Bipolar.
Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p. O Tipo pnp consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n. As Figuras 2 e 3 representam os seus respectivos símbolos esquemáticos. A explicação seguinte refere-se ao TJB (BJT) npn, que é utilizado nesta Demonstração.
O TJB (BJT) opera em três modos diferentes: modo de Corte, modo de Amplificação Linear e modo de Saturação, Figura 4. A Tabela 1 é um sumário dos três modos de operação do TJB (BJT) npn.
Os TJB (BJT) são muito importantes no mundo da electrónica. São bastante utilizados em outras Demonstrações, especialmente como Amplificadores, nos circuitos analógicos, e como Interruptores Electrónicos, nos circuitos digitais.
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Data da última actualização: 10/3/2025