结型场效应晶体管 (JFET) 展区

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除了双极面结型晶体管 (BJT)，场效应晶体管 (FET) 是另一种主要晶体管类型。FET利用电场来控制半导体材料中沟道的导电性能。FET可分为两类：金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和结型场效应晶体管 (JFET)。

结型场效应晶体管 (JFET) 可以接成放大器，这时的晶体管运作于线性放大模式。与BJT类似，JFET亦可接成电子开关，这时的晶体管运作于截止模式或可变电阻模式。

JFET放大器共有三种基本接法：共源极 (CS) 放大器、共漏极 (CD) 放大器和共闸极 (CG) 放大器。

对于共源极 (CS) 放大器，如图1所示，输入讯号位于栅极 (Gate)，输出讯号位于漏极 (Drain) 而源极 (Source) 透过旁路电容C3交流接地。C1和C2分别是输入讯号和输出讯号的耦合电容。共源极放大器和BJT的共发射极放大器是类似的。

图1: 结型场效应晶体管共源极放大器的电路

共源极放大器可以提供接近无限大的电流增益和中等的电压增益 (-10左右)。它有极高的输入电阻 (100 MΩ左右) 和高的输出电阻 (500 kΩ左右)。输入和输出之间有180° 的相移。

共源极放大器是三种基本JFET放大器接法中使用最广泛的，它通常用于放大电压讯号，或用作下一个放大级的输入。

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