n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (n-Channel MOSFET) 是如何运作的

场效应晶体管 (FET) 是一种半导体元件，它具有四个连接端 (栅极、源极、漏极和基底)，见图1。在双极面结型晶体管 (BJT) 中，电流是透过两种电荷载流子 (电子和空穴) 的移动所产生的，而场效应晶体管则有所不同，它是一种单极面元件，按照其沟道类型的不同 (n沟道或p沟道) 电流只透过单一种电荷载流子 (电子或空穴) 的移动而产生。金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET，又称为MOS管) 是场效应晶体管的其中一个种类。MOS管的电路符号有一个箭头，见图2和图3，它表示了沟道和基底间p-n结的方向。以下的说明将集中在n沟道增强型MOS管。

图1: 场效应晶体管

图2: p沟道MOS管的电路符号

图3: n沟道MOS管的电路符号

MOS管工作于三种不同模式：截止模式、可变电阻模式及饱和模式，见图4。

图4: n沟道增强型MOS管的I_D―V_DS特性曲线

MOS管在电子学中是非常重要的。它们被广泛应用在其他展品中，例如模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。